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AI算力引爆全栈元器件需求，SUNLORDINC顺络电子竞逐光�？榛平鹑纞
来源：KOYUELEC光与电子作者：JOSHUA.YANG发布时间：2026-06-13 09:20:21
图片来源于网络
AI算力引爆，光�？�迎来黄金时代
在人工智能技术高速迭代的浪潮驱动下，光�？樽魑葜行墓歉纱溆敫咚倩チ暮诵挠布幸稻捌瘸中噬铰跞敫咚僭龀ず炖芷�。
2026 年被业内普遍认定为1.6T 光�？楣婺；坎脑辏幸敌枨蠼纯缭绞教嵘�：全球出货量将从 2025 年数十万只量级，直接拉升至数百万只规模，对应整体市场空间增幅超 40%。这一轮产品升级并非单纯的技术更替，而是 AI 算力基础设施建设爆发式扩容带来的刚性需求释放。光�？橐泊庸车缧磐缗涮自骷段С� AI 算力运转的关键核心载体。
全球云厂商资本开支高企，带动光�？榕浔瘸中嵘恍幸导铀傧�1.6T/3.2T迭代，硅光集成、CPO、LPO等技术渗透率持续攀升，预计2027年CPO占比达30%，硅光�？槭谐」婺＝黄�80亿美元。
顺络电子深耕光�？槭谐。�
解锁新兴增长赛道
顺络从10G开始就在光模块市场耕耘，已构建起覆盖功率电感、高频/抗硫化磁珠、板载式NTC热敏电阻及HTCC管壳/陶瓷基板的光�？橐徽臼皆骷卣�。针对 800G 及 1.6T 主流迭代平台，顺络均已推出成熟、可量产的配套产品，以“材料+设计+工艺+测试”的全链条能力，成为AI数据中心高速互联国产化替代的中坚力量。
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超低压模塑一体成型电感WCX系列
光�？槭淙氲缭次�3.3V，经多路升降压，为�？槟诓扛鞴δ茏榧峁┪榷ā⒏呔裙┑纾甭阈√寤�、动态可调、热稳定性优异的设计需求。随着光模块传输速率持续提升，DSP、TEC 等核心单元功耗显著增大；同时高速光模块高功耗、集成�？榛姆⒄骨魇疲怨β实绺械牡缌魈岢隽烁咭�：大电流、低 DCR、低损耗，同时适配器件小型化布局需求。
光�？楣┑缂芄� 图片来源于顺络内部
不同光�？樗俾使┑绲缪�/电流要求 图片来源于顺络内部
面对AI处理器功耗飙升的严峻挑战，顺络电子推出的WCX系列超低压成型一体成型功率电感，以三大技术创新破局：
（1）材料革命：自主研制高性能磁性材料，配合独创超低压成型工艺；
（2）性能跃升：实现显著小型化的同时大幅提升载流能力，在紧凑空间内满足大电流需求；
（3）能效突破：具备优异的轻载效率与稳定的重载输出特性，有效优化整机续航与能效表现。
以下为WCX系列在800G和1.6T光�？榈某Ｓ霉娓�：
图表来源于顺络内部
超高频磁珠和抗硫化磁珠
在激光驱动器�？椋陈绲缱硬唤隹商峁┯糜诟衾氲推敌藕诺奶跆宓绺胁罚拐攵灾懈咂敌藕鸥衾氤【埃瞥隽顺咂荡胖榻饩龇桨福芄怀浞质逝涓咚俟饽？榈挠τ眯枨蟆�
图片来源于顺络内部
L1：隔离低频信号，要求在200kHz~100MHz内具有高阻抗，尺寸以公制1005和1608为主，推荐我司MWPH/MWPU系列。
L2：隔离中高频信号，要求在100MHz到几十GHz内高阻抗，Ir≥100mA，S21参数越小越好，尺寸以公制0603为主。
以下为我司在高速光�？榧す馇魍萍龅某咂荡胖楣娓�：
图表来源于顺络内部
通过采用纳米级高致密铁氧体材料，磁珠基体的致密性显著提升，可有效阻隔外部硫化物渗入，从根源上增强了抗硫化能力。同时，优化了端电极成型工艺，采用沾银+电镀Cu/Ni/Sn技术，杜绝了在高温高湿或长期负载条件下银离子沿电极迁移引发短路的隐患。两项技术协同作用，使磁珠在含硫、高温、高湿等严苛环境下仍能保持稳定的阻抗特性，极大提升了光�？榈扔τ贸【暗某て诳煽啃�。
抗硫化电源线磁珠A*Z-H2T系列在光�？榈某Ｓ眯秃磐萍�：
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抗硫化电源线磁珠（超大电流）系列在光�？榈某Ｓ眯秃磐萍�：
图表来源于顺络内部
板载式NTC热敏电阻
光�？橄蛐⌒突⒏咚俾省⒃毒嗬搿⒌凸�、智能化的方向发展，板载式NTC热敏电阻能够时刻监测功能组件的工作温度及环境温度，及时向工作组发送补偿信号，保证组件功能性的稳定高速运行。
顺络电子SDNC-G系列端电极采用Au浆料制成，设计满足金丝邦定和共晶焊工艺的使用需求。高可靠性是该产品最主要的特点，ΔR25高温存储变化率2000h≤±1%，为器件稳定工作输出起到关键性的作用。
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图表来源于顺络内部
HTCC光�？楣芸呛吞沾苫�
管壳产品依托高热导率材料（如 WCu10 等高热导率热沉），可高效满足器件散热需求；同时具备优异的气密性，能为敏感芯片提供可靠的环境防护，隔绝外界干扰；凭借陶瓷材料介电常数可控的特性，其射频性能表现突出，可适配不同速率光模块的管壳应用要求，整体在散热、防护与射频性能上均具备显著优势。
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图表来源于顺络内部
Al2O3/AlN多层布线陶瓷基板：
顺络提供多种定制化设计的陶瓷基板，材质可选氧化铝和氮化铝，通过高强度，高散热的多层陶瓷可以实现小型化和高散热性，同时结合薄膜技术可以实现高精度图案。
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